実施課題
実施課題選定メンバー

平成30年度 実施課題一覧

機関 課題名
東芝メモリ株式会社 酸化物半導体の拡散層及び接合層の電位分布解析
兵庫県立大学 強磁性/強誘電体ヘテロ界面によって誘起される磁気状態の物理機構の究明
名古屋大学 金属多層膜に生じたスキルミオンの観察(その2)
大阪府立大学 低次元強磁性体の磁化構造の観察(その2)
特定国立研究開発法人
産業技術総合研究所
GaN半導体内部のドーパント濃度分布の計測(その2)
山形大学 強磁性薄膜での磁気的相互作用の評価
大阪大学 デバイス開発を目指した遷移金属酸化物の電位分布解析
古河電気工業株式会社 くさび形試料を用いた電圧印加状態でのp-n接合領域の定量電位計測
古河電気工業株式会社 へき開GaAs試料を用いたp-n接合領域の定量電位計測
九州工業大学 電子線ホログラフィーを用いた強誘電体の微細構造解析
東北大学 電子線ホログラフィーを用いた有機無機ハイブリッドナノ粒子の形態評価
大阪府立大学 キラル磁性体に生ずるらせん状スピン配列の観察
富士電機株式会社 電子線ホログラフィーによるSiC基板中の電位分布解析

上記課題の他に非公開案件4件 計17件のテーマを実施いたします。

平成29年度 実施課題一覧

機関 課題名
大阪府立大学 低次元強磁性体における極低温での磁気構造観察
北海道大学 彗星起源宇宙塵の残留磁化のホログラフィーTEM観察
名古屋大学 金属多層膜中に生じるスキルミオンの観測
大阪大学 仕事関数の異なる物質を接合させた際に生じる電荷移動・電位分布の観察
古河電気工業株式会社 GaAs p-n接合試料のその場電位計測
兵庫県立大学 強磁性/強誘電体ヘテロ界面によって誘起される磁気状態の物理機構の究明
特定国立研究開発法人
産業技術総合研究所
GaN半導体内部のドーパント濃度分布の計測

上記課題の他に非公開案件3件 計10件のテーマを実施いたします。

実施課題 選定メンバー

アドバイザー
所属 役職 氏名
名古屋大学 名誉教授 丹司敬義
国立研究開発法人
物質・材料研究機構
名誉研究員 松井良夫
運営委員会
所属 役職 氏名
株式会社日立製作所 主管研究長 品田博之
株式会社日立製作所 主任研究員 葛西裕人
国立大学法人東北大学 教授 進藤大輔
国立大学法人東北大学 講師 赤瀬善太郎
一般財団法人
ファインセラミックスセンター
執行理事
ナノ構造研究所副所長
平山司
一般財団法人
ファインセラミックスセンター
グループ長
主任研究員
山本和生
国立大学法人九州大学 教授 村上恭和